研究人员开发出整合III-V族与矽材料的3DFinFET半导体
比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III-V族与矽晶材料的3D FinFET 化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS 至7nm 及其以下，以及实现混合CMOS-RF 与CMOS 光电元件的化合物。
随着晶片微缩即将接近原子级的限制，业界致力于提高晶片性能与降低功耗的各种方法逐渐面临瓶颈。透过为矽晶整合更高性能的材料，例如可提供更高载子速度与更高驱动电流的III-V族电晶体通道，这种新的化合物半导体可望超越矽晶本身性能，持续微缩至更制程。
首款在300mm晶圆制造的III-V FinFET电晶体，采用磷化铟(InP))与砷化铟镓(InGaAs)化合物。
英特尔(Intel)与其他公司已在尝试结合III-V族材料(如砷化铟镓与磷化铟)与传统矽晶基板的化合物半导体了，但一直无法克服材料之间原子晶格难以匹配的挑战。而今，IMEC声称已经成功实现一种晶圆级制程，透过撷取晶体缺陷的长宽比、沟槽结构与外延制程等创新，能够以砷化铟镓与磷化铟等材料在3D FinFET上取代矽鳍，同时还能适应8%的晶格不匹配。
「基本上，我们经由 FinFET 制程至鳍片形成阶段，以特定的蚀刻制程从选定的鳍片移除矽晶，蚀刻的图案能让III-V族生长以及吸收缺陷，」IMEC逻辑研发总监Aaron Thean解释，「我们开始加进III-V族材料，先从磷化铟开始，使其吸收约8%的晶格不匹配，使其最终生长至顶部，然后在凹处再次加进磷化铟，并以砷化铟重新生长至顶部。」
据Thean表示，IMEC的合作夥伴希望这项技术能进一步开发，以期能在2016年到2018间实现7奈米节点的部署。IMEC的CMOS开发合作夥伴将有机会取得该制程，包括英特尔、三星、台积电、Globalfoundries、美光、海力士、东芝、松下、Sony、高通(Qualcomm)、Altera、富士通、nVidia与Xilinx 。
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